|
Огурцы для зимне-весеннего срока
выращивания — это промышленные гибриды, возделываемые в тепличных комбинатах
в остекленных обогреваемых теплицах с января по июль (III-IV световая зона).
Для овощеводов-любителей они представляют практический интерес как наиболее
теневыносливые для выращивания в комнатных условиях на подоконнике в ранние
сроки.
В данную группу входят: F, Манул, F, Марафон, F, Эстафета,
F, Атлет, F, Бакс, Fj ТСХА-575, ТСХА-2693, F, Олимпиада, F1 Тайга, F, Камчатка, F, Сахалин и др.
Гибриды-опылители: Fl Гладиатор, F Геркулес, F, Казакова,
F, Левша, F, Горностай и др., партенокарпические: F, ТСХА-442, F, Сенатор. F, Модуль, F, Доротея, F, Регтайм, F. Ибн Сина, F, Азия, F, Берендей и др. Опти-
мольный срок посева данных гибридов — вторая декада ноября. Посев проводят с
таким расчетом, чтобы начать высадку рассады на постоянное место 25—30 декабря
(примерно через 28—30 дней от появления всходов).
Выращивание рассады проводят посевом семян
непосредственно в горшочки (объемом 0,7—0,8 л) с рассадной смесью или с
пикировкой. Наиболее часто в качестве субстрата используют верховой торф и
торфосмеси. Рассадная смесь должна обладать хорошей водоудерживающей
способностью, хорошей способностью к аэрации и относительной химической
инертностью.
Количество семян рассчитывают исходя из густоты стояния
растений, площади теплим и страхового фонда 10—15%. Для посева используются
семена со всхожестью не менее 90%. Т.к. многие возбудители болезней овощных
культур могут сохраняться с семенами, то необходимо проводить их
протравливание или обеззараживание. Обеззараживают семена огурца термическим
(по методу Вовка) н химическим способами. Обычно на 1000 м2 расходуется 100—115 г семян огурца основного гибрида и 10—5 г семян гибрида-опылителя. Как
правило, семена гибрида-опылителя высевают раньше на 2—3 дня основного
гибрида.
Для получения более дружных и выровненных всходов
рекомендуется проводить посев семян в специальные посевные ящики с рассадной
смесью. Посев в ящики приводят пол маркер. Расстояние между рядками 2 см, в ряду между семенами 2 см. Сверху семена присыпают просеянной рассадной смесью слоем 1,0-1,5 см, в зависимости от физической массы рассадной смеси. Сверху посевные ящики накрывают полиэтиленовой
пленкой для поддержания постоянной температуры и влажности до появления
всходов. Всходы появляются через 3—4 суток. При появлении 10—15% всходов
пленку снимают и включают досветку. К пикировке приступают на 4—5 день от
появления всходов. Сеянцы с сильно деформированными и уродливыми семядолями и
слабой корневой системой выбраковываются. Лучше проводить выбраковку по
первому настоящему листу. Сеянцы пикируют в пролитые раствором горшки с
рассадной смесью, заглубляя их до семядольных листочков, с целью получения
крепкой рассады с небольшим подсемядольным коленом. При выращивании на
минеральной вате сеют непосредственно в кубики ИЗ минеральной ваты, размером
36 х 36 х 40 мм, присыпая вермикулитом, или в мультиблоки, а затем делают
перевалку в кубик большего размера.
После пересадки сеянцев в горшочки — на 1 м2 располагается до 70 горшочков со средним диаметром 12 см. За время выращивания рассады огурца
производится 2—3 расстановки растений с окончательной густотой стояния 20—22
шт/м2. Способ выращивания рассады через пикировку позволяет не только
существенно снизить потребление тепла и электроэнергии, но и получить рассаду
лучшего качества.
Температура при выращивании рассады. Для получения дружных
всходов, до их появления температуру воздуха и субстрата поддерживают на
уровне
26— 28°С. С появлением 10—15% всходов, постепенно
снижают дневную температуру воздуха до 18—19°С, что препятствует сильному
вытягиванию сеянцев. После пикировки первые три дня температуру воздуха
поддерживают днем на уровне 20—22°С (при досвечивании) и 18— 19°С ночью (без
досвечивания). Затем температуру немного снижают и поддерживают до высадки
рассады на уровне 18—19°С — днем (при досвечивании) и 16—17°С ночыо (без
досвечивании). Пониженная температура воздуха способствует формированию
женского пола у растений огурца. С целью смешения пола у растений опылителя в
мужскую сторону, температура воздуха поддерживается на более высоком уровне,
чем для основного гибрида, примерно на 1— 2°С. Температура субстрата в горшке
должна быть 20—2ГС. Разница между дневной и ночной температурой воздуха
обеспечивает хорошее развитие корневой системы и стимулирует генеративное
развитие.
Досвечивание рассады. При выращивании рассады для зим
не-весен не го оборота необходимо искусственное досвечивание растений. Лампы
досвечи- вания включают при появлении 10—15% всходов. Первые три дня
досвечивание проводят круглосуточно. Затем, до пикировки — 18 часов в сутки,
от пикировки до первой расстановки рассады — 16 часов (во время пикировки
сеянцы не досвечивают) после расстановки в течение 10 дней — 14 часов.
Последние 4—5 дней до высадки рассады досвечивание проводят по 12 часов. В
последний день перед высадкой в теплицу растения не досвечивают, чтобы
рассада привыкла к условиям естественного освещения. Оптимальный уровень
освещенности в фазе сеянцев 8000-9000 лк и выше, а в дальнейшие периоды
выращивания не ниже 4000-5000 лк. При освещенности меньше 2000 лк рассада
развивается медленно, слабо развивается корневая система. В этом случае
удлиняют срок выращивания рассады на 2—4 дня. В настоящее время широкое
распространение при выращивании рассады нашли лампы Рефлакс-400 и
Рефлакс-600. Они обеспечивают освещенность 9—12 клк и выше. Количество ламп
на единицу площади и высоту их подвески (она постоянна) рассчитывают специалисты
фирмы "Рефлакс". Обычно техническая мощность ламп составляет 60—70
Вт/м2.
Питание и полив рассады. Ятя выращивания рассады требуется
рассадная смесь не только с хорошей физической структурой, но и очень
питательная. Это связано с тем, что объем рассадной смеси на одно растение
ограничен, а вынос питательных элементов достигает больших размеров, в
зависимости от ее возраста. Поэтому рассадная смесь должна обладать высокой
поглотительной способностью и влагоемкостью. Чаще всего в качестве рассадной
смеси используют верховой торф или его смесь с переходным или низинным
торфом. Заправляя торф в равных пропорциях доломитовой мукой и мелом мелкого
помола доводят pi! до 5,6—6,3 единиц. Кроме того заправляют минеральными
удобрениями. Для торфа чаше всего используют марку Кемира- супер и Пи Джи
Мнкс. Это комплексные удобрения для основной заправки торфов и торфосмесей.
Содержание элементов питания в рассадной смеси должно
быть: N — 150 мг/л, Р - 30 мг/л, К - 165 мг/л, Mg - 85 мг/л, Са 165 мг/л, Ее
- 1,3- 1,8 мСм/см.
В дальнейшем поливают раствором минеральных удобрений.
Сначала горшки напитывают питательным раствором с Ее 1,8 мСм/см. Затем
рассаду поливают раствором с Ее 1,8—2,0 мСм/см. Концентрацию элементов
питания с возрастом растений постепенно увеличивают, доводя ее к концу
рассадного периода до 2,5 мСм/см. Содержание солей и горшке при этом может
достигать 3,0—3,5 мСм/см.
Агротехника. К высадке рассады теневыносливых гибридов
огурца приступают в начале января. Готовая к высадке рассада огурца должна иметь
4—5 настоящих листьев, высоту надземной части 30—35 см и хорошо развитую
корневую систему (корни белого цвета, хорошо оплетающие субстрат).
Некачественную и нетипичную рассаду выбраковывают. Густота посадки для
пчслоопыляемых гибридов составляет 2,3—2,6 раст/м2, а для пар-
тенокарпичсских 1,8—2,2 раст/м2 в зависимости от сроков высадки, световой
зоны, технологии и т.д.
К основному пчелоопыляемому гибриду с высокой
насыщенностью женскими цветками необходимо подсаживать растения
гибрида-опылителя в количестве до 10—15%. Обычно высадку растений в теплицу
начинают с высадки рассады растений-опылителей. Их высаживают или рядами
(каждый 10-й ряд, лучше использовать ряды у стоек), или равномерно
распределяя по всей теплице (высаживают каждое 10-с растение гибрида-опылителя).
В первом случае, зная, где находятся растения гибрида-опылителя, можно
формировать их без прищипки главного побега, тем самым, увеличивая выход
мужских цветков с растения. Во втором случае мужские цветки распространены
более равномерно по теплице, что обеспечивает лучшее опыление.
Температурные режимы поддерживают в следующих пределах: до
начала плодоношения — 22—24°С — в солнечную погоду, 19—20°С — в пасмурную,
17—18°С — ночью; после начала плодоношения — 22—25°С — в солнечную погоду,
20—22°С — в пасмурную, 18—19°С — ночью. Такая температура стимулирует полив
плодов на главном стебле. Но в условиях слабой освещенности февраля-марта, с
целью получения большего количества женских завязей ночью держат температуру
16—17"С в течение одой недели, повышая затем ночную температуру опять до
18—19°С. Не рекомендуется снижать температуры воздуха ниже 15вС, т.к. это
может привести к нарушению нормального хода физиологических процессов. После
окончания первой волны плодоношения на главном побеге и при переходе
плодоношения на боковые побеги ночную температуру снижают на две недели до
16—17°С. Это усиливает образование женских завязей, ускоряет появление
боковых побегов и стимулирует ветвление растений. Затем для улучшения налива
появившихся завязей ночную температуру в течение 10-12 дней поддерживают на
уровне 19—20°С. Относительная влажность воздуха поддерживается в пределах
75—80%.
Формирование растений. Через неделю после посадки начинают
подвязку растений к шпалере. Шпагат должен быть достаточно прочным, чтобы
выдержать нагрузку. Его длина должна быть на 30-40 см больше расстояния от грунта до шпалеры. Нижний конец шпагата подвязывается свободной петлей (с
учетом утолщения стебля) под первым настоящим листом к стеблю растения.
Шпагат не должен быть сильно натянут, так как в этом случае при колебании
шпалерной проволоки, возможно, повреждение корней у растении. Зачем
проводится регулярная обкрутка растения вокруг шпагата по часовой стрелке.
Шпагат должен проходить по каждому междоузлию, чтобы не происходило сползание
растения.
При высадке рассады в начале января следует провести
ослепление нижних узлов главного стебля. Причем необходимо удалять цветки и
боковые побеги в начале их роста. В производственных условиях стараются
выполнить эту операцию в один прием, когда в первом-втором узлах идет
цветение. Однако следует проводить эту операцию своевременно, в два-три
приема, удаляя не цветки, а бутоны, для снижения затрат питательных веществ
на цветение цветков, которые впоследствии будут удалены.
Формирование основного ичелоопыляемого гибрида. У растений
основного пчелоопыляемого гибрида ослепляется 5—6 нижних узлов, а в годы с
низкой естественной освещенностью, а так же на ослабленных растениях следует
провести ослепление до 7—8 узлов, а иногда и выше. Боковые побеги в 7—8-ом
узлах удаляют, оставляя завязи, причем в этих узлах лучше оставлять по одной
завязи, а вторую удалять. В следующих 4—5 узлах появляющиеся боковые побеги
прищипывают на 1 лист. В очередных 4—5 узлах (это примерно 13—17-й узлы)
главного стебля оставляют боковые побеги, прищипывая их на 2 листа. В самых
верхних узлах до шпалеры боковые побеги прищипывают, оставляя по 3 листа.
Побеги второго порядка в нижней части растения удаляют. В средней части их
прищипывают на 1 лист, а у шпалеры можно оставлять до 2 листьев, — в
зависимости or облиственности растений. Если листьев много и они крупные, го
в верхней части на побегах второго порядка оставляют 1 лист. По мерс
улучшения освещенности и увеличения площади листьев на растениях повышают
нагрузку плодами. При таком формировании растения напоминают
"перевернугую пирамиду", т.е. постепенно увеличивается нагрузка па
главный стебель. В нижней части растения более разреженные, хорошо
проветриваются и реже болеют.
После того как стебель перерастает шпалеру, его верхушку
осторожно пригибают к проволоке. Очень важно направить верхушки всех растений
в одну сторону. Верхушку растения осторожно закручивают вокруг шпалерной
проволоки, делая два оборота. Стебель при этом не должен перегибаться,
сминаться и трескаться. Часто, чтобы стебель не перегибался па первом
обороте, его подвязывают шпагатом в виде восьмерки к шпалерной проволоке.
Очень важно укладывать верхушки побегов вовремя, не лавая им перерастать, так
как переросшие побеги теряют гибкость, их сложнее укладывать па шпалеру, чаще
получаются "заломы"*. Верхушку побега ведут до следующего растения,
затем на 1—2 листа опускают вниз и прищипывают. Таким образом, на шпалере
формируется 4-5 листьев. Боковые побеги из первых одной- двух пазух листа над
шпалерой удаляют, чтобы они не затеняли листья на главном стебле. Так же
удаляют побег в последней пазухе листа, так как он будет затенять соседнее
растение. Оставляют побеги в двух пазухах соседних листьев, расположенных в
середине между соседними растениями, что позволяет более интенсивно
использовать свет. Эти побеги прищипывают через каждые 50 см, а образующиеся на них побеги следующего порядка ветвления прищипывают па 2 листа.
Сухие листья и отплодоносившие побеги удаляют, срсзая их
острым ножом без оставления "пеньков". Эту операцию выполняют в
солнечную погоду, чтобы места срезов быстро подсохли не являлись
"воротами" для проникновения инфекции.
Если в верхней части растений образуются очень крупные
листья, которые мешают проникновению света внутрь фитоценоза, то можно
провести их прореживание, улучшая освещенность нижнего яруса. Эту операцию
выполняют только в солнечную погоду, удаляя листовую пластинку, оставляя
черешок листа.
При высадке рассады в первую неделю января на главном
стебле оставляют не более 11 — 13 плодов. Количество одновременно
наливающихся плодов на растении не более 2—3. Нагрузка плодами увеличивается
пропорционально увеличению прихода солнечной радиации и площади листовой
поверхности.
|